我国新研制出大型砷化镓单晶 [复制链接]

第3版(教育·科技·文化)
专栏：

我国新研制出大型砷化镓单晶
本报讯北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心，采用国际上先进的多温区及计算机全自动控制等技术，于近日首次研制成功直径为７６ｍｍ、重５Ｋｇ的水平掺硅砷化镓单晶，填补了我国在大型砷化镓单晶方面的一项空白，使我国以砷化镓为代表的化合物半导体材料领域步入了国际先进水平的行列，标志着我国在该领域又上了一个新台阶。
掺硅水平砷化镓单晶是制备半导体激光器、光阴极、红外探测器、发光二极管及超高亮度发光二极管以及空间用太阳能电池等新型光电器件的关键材料。世界上只有少数几个发达国家生产这种大型砷化镓单晶。