纳西族超导专家 [复制链接]

第10版(民族大家庭)
专栏：

　　纳西族超导专家
和致经（纳西族）是中国科学院半导体研究所高级工程师。他出生在祖国边陲云南省丽江纳西族自治县，长江第一湾的河水滋润他长大成人。从云南大学物理系固定物理专业毕业后，便进入中国科学院半导体研究所，并伴随研究所的历史同步走到了今天。
３３年的辛勤，在他身后留下了一串串踏实的足迹。６０年代，我国集成电路研究工作刚刚起步，和致经潜心于ＭＯＳ器件集成电路，一干就是２０多个年头，先后研制出《ＭＯＳ晶体管》为全国首创，研究《Ｐ沟铝栅ＭＯＳ集成电路》获全国科学大会重大成果奖，负责完成的《Ｎ沟硅栅２５６ＭＯＳＲＡＭ集成电路》为国内先进，作为主要骨干参加的《４ＫＭＯＳＲＡＭ》任务获中科院一等奖，８０年代末，主要研究《长寿命卫星用ＣＭＯＳ／ＳＯＳ抗辐射集成电路》抗辐射和抗静电性能达到国际水平。
近十年来，和致经在从事的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ集成电路的研究工作中，以孜孜不倦和奋发进取的精神奋斗在国防科研第一线，作出了突出贡献。
他先后承担的四项重大的国防科研任务，经过中国科学院的技术鉴定，专家们都给予了高度的评价，９０年代，其尖端科技的科研成果，填补了国内空白，经技术鉴定，这些成果的主要性能达到了９０年代初国外相近产品的水平。
最近，和致经与同事们一起，在云南昆明建立了中科院半导体研究所驻昆工作站，希望科学技术成果转化为生产力，以促进少数民族地区的经济发展，这样，从样品研究到有能力完成小批量生产的适用工程化，他们走出了重要的一步。（杨光玉）（附图片）
和致经在学术报告会上。