直径２００毫米硅单晶研制成功标志我国半导体硅单晶技术赶上世界先进水平 [复制链接]

第5版(教育·科技·文化)
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　　直径２００毫米硅单晶研制成功
标志我国半导体硅单晶技术赶上世界先进水平
本报北京９月４日讯记者贾西平报道：我国第一根直径２００毫米（８英寸）硅单晶，在北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心诞生。
这根Ｎ型、〈１００〉晶向硅单晶的研制成功，标志我国半导体硅单晶制造技术赶上世界先进水平，使半导体材料的科研和生产迈上了一个新台阶，将有力地促进我国微电子工业和高科技产业的发展。
今天上午记者来到这个研究中心，看到长约６０厘米、重５６公斤的硅单晶。该院专家说，直径２００毫米的大直径硅单晶是制造亚微米线宽、兆位级超大规模集成电路用的基础材料，目前只有美、日等少数几个国家能够制造。半导体发达国家刚开始生产的线宽为０．３５微米的６４兆位动态随机存贮器，就是使用这种大型硅单晶。
北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心曾于１９９２年研制出我国第一根直径１５０毫米（６英寸）硅单晶，前不久他们又建成了用于制造线宽０．８—１微米超大规模集成电路硅单晶抛光片工业试验线，积累了丰富的科研与生产经验。为了发展我国自己的半导体工业，技术人员突破国外一层层技术封锁，在引进单机设备的情况下，自己设计配套软件，建立起这套直径２００毫米硅单晶生产线。
院负责人告诉记者，他们将积极着手筹建后段抛光工业线，以加快我国２００毫米硅单晶片进入国际市场的步伐。