韩国开发出２５６兆位同步存储芯片 [复制链接]

第7版(国际)
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　　韩国开发出２５６兆位同步存储芯片
韩国现代电子株式会社宣布，该公司成功开发出２５６兆位同步存储芯片（ＳｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓＤ—ＲＡＭ）。
该公司说，他们开发出的产品样本大小为３２３平方毫米，数据处理速度比异步芯片快两倍以上，达到十亿分之六秒，集成电路之间的间隔为０．２５微米。
现代电子公司说，从１９９６年起，世界市场上异步存储芯片将逐渐被同步芯片所代替，因此，该公司计划从１９９７年开始批量生产和供应这种新产品。