超紫外线光刻技术 [复制链接]

第7版(国际)
专栏：科技发明

　　超紫外线光刻技术
美国政府能源部和硅谷的几家大公司最近达成有史以来最大一笔技术转让交易，政府将和企业联合开发芯片制造的新技术——超紫外线光刻技术。
这一协议为期３年，总金额为２．５亿美元。超紫外线光刻技术用于在硅片上蚀刻复杂的电路，然后转化到微芯片上。目前的芯片线宽最小的也有０．１５微米，如果使用拟议中的新技术，可将线宽缩小到０．０５微米。
超紫外线光刻技术原是美国８０年代中期“星球大战计划”中的一项研究。冷战结束后，能源部就开始为其寻找商业用途。为了继续超紫外线光刻技术的研究，英特尔公司已向该项目投入了２３００万美元，去年位于加州的政府所属桑迪亚实验室制造了第一个用于超紫外线光刻技术的晶体管。