测量超薄金属膜厚度新法 [复制链接]

第7版(国际)
专栏：科技发明

测量超薄金属膜厚度新法
美国麻省理工学院纳尔逊教授最近发明一种超薄金属膜厚度测量新法，它能在一个原子层的精度上对芯片上的金属薄膜厚度进行测量，所需时间最快不到一秒。
由于新方法的成本比现有手段大大降低，推广后将会给微电子工业节省大量费用。
芯片制造时，通常要往硅基上镀一层层的铜、钨等超薄金属膜，这种金属膜最薄仅为一亿分之一米。能否精确地测量这些薄膜的厚度，确保各薄膜间能有效地粘接，决定着芯片的质量和性能。目前芯片制造商需要使用很多昂贵的设备进行耗时费力的测试工作。
纳尔逊的新测试法，主要是利用激光与被测试材料间的相互作用。首先利用短脉冲激光在待测试薄膜中产生超声波，再用第二束激光来测量超声波的速度，即可得知薄膜厚度和粘合性能。