日本用电子束绘制超大规模集成电路图形 [复制链接]

第5版()
专栏：国际科技动态

日本用电子束绘制超大规模集成电路图形
新华社东京三月二十四日电　日本利用电子束绘制超大规模集成电路图形的装置最近研制成功。日本报纸报道说，这一成果使日本研制超大规模集成电路的工作前进了一大步。
据日本报纸报道，日本新研究成功的电子束爆光绘图装置，采取的是光栅扫描方式。电子束斑直径可以缩小到零点二五微米，能绘出最小线宽为一微米的图形。它的绘图速度为：如果绘制四英寸直径的硅片所用的掩模图形，线宽一微米，约需一百八十分钟；线宽两微米，约五十分钟，线宽四微米，则不到三十分钟。精度为零点一微米以下。电子束寿命可以保持两千五百小时以上。由于采取了新的数据处理方式，可以在同一基版上绘制不同电路的掩模图形，其绘制速度和图形的精细度等方面都超过了美国贝尔研究所研制的电子束爆光装置，达到了世界先进水平。
超大规模集成电路是将来最新的高性能电子计算机的心脏部分。
至今制造集成电路和大规模集成电路，一般都是使用类似照相的光刻办法，即把预制的电路图形通过光刻和其他工艺刻在很小的硅片上。一般集成电路，在一个绿豆大小的硅片上容纳晶体管为一千个以下。大规模集成电路，容纳晶体管一千至几万个。而超大规模集成电路，在数毫米的硅片上要并列有十万至一百万个晶体管。用它可以制造出体积很小而性能极高的电子计算机。但是制造超大规模集成电路，最关键的技术是对晶片上面图形的精细加工。因为原来的光刻技术线宽已难以达到超精细的程度。
目前，美国、日本和西欧电子科学发达的国家，都在研究用电子束扫描方式，来绘制晶片上面的超精细图形。