我国已能制造高档超大规模集成电路 [复制链接]

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我国已能制造高档超大规模集成电路
新华社北京11月8日电　记者从国务院电子振兴领导小组办公室获悉，我国集成电路的研制工作最近突破了三微米工艺关。用这种工艺制造的高速互补金属氧化物半导体电路　（简称CMOS）的诞生，标志着我国已从只能制造低档大规模集成电路进入了能够制造高档超大规模集成电路的新阶段。
高速CMOS电路，是目前国际上正在开发的新品种，已被广泛地用于高速数字通讯、高速计算机、智能化仪器仪表、工业自动控制以及家用电器等许多领域，这种电路更适用于军事电子工程。它不仅保持了普通CMOS电路低功耗、高抗干扰的能力，还克服了速度慢的弱点，因此具有很强的生命力。
中国科学院上海冶金研究所和上海无线电十四厂，经过协作攻关，克服了工艺难度大等困难，采用新技术、新工艺，共同研究与开发的三微米高速CMOS电路系列，已经正式通过技术鉴定。同时通过鉴定的，还有上海元件五厂在清华大学、中国科学院半导体研究所、上海市半导体研究所等单位科研成果的基础上，研究开发的74HC高速CMOS电路。鉴定认为，我国研制的上述高速电路，全部参数符合国际标准，很快就可以批量生产。
在上海市有关单位组织的鉴定会上，专家们认为，这种高速电路的诞生，标志着我国集成电路的工艺技术日趋成熟。今后，制造一般计算机元器件所需要的电路，可以基本上立足于国内；高速数字通讯、高速计算机、智能化仪器仪表、工业自动控制，以及家用电器等许多领域所需要的电路，也都可以自己制造了。