美国用激光检测半导体的杂质 [复制链接]

第7版()
专栏：

美国用激光检测半导体的杂质
美国科学家发明用激光检测半导体微小的杂质含量而又不损坏半导体材料的新方法。
半导体要求的纯度极高，甚至万亿分之几的铁杂质也会毁坏一台硅装置。发明新的检测方法的是美国伊利诺斯州阿尔贡国立实验室的科学家。他们首先用氩离子束轰击半导体样品，去掉它表面的一些原子。约一微秒后，用两台激光器消除“飞溅出”的硅尘和杂质，例如铁。他们把一台激光器调到能激发铁原子而不会激发硅原子的波长，用另一台激光器进一步激发铁原子，从带电离子中去掉电子。接着，电场就把铁离子吸向检测器，测出它的含量。激光测定法同常规的质谱测定法不同，它实际上能测出样品表面所有的铁。