日本研制成新型曝光装置 [复制链接]

第7版()
专栏：

日本研制成新型曝光装置
新华社东京十二月九日电　日本松下电器公司半导体研究中心，最近研制成功能够制作线宽为零点四微米电路图形的新的曝光装置。
据日本《东京新闻》报道，这种新型曝光装置叫受激准分子激光曝光装置，是制作十六兆位半导体存储元件必不可少的。目前，日本各研究部门正在研制存储容量为四兆位（电路线宽为零点八微米）的动态随机存取存储器。要想研制十六兆位的超大规模集成电路，使用目前的曝光装置是不行的。
为此，松下电器半导体研究中心把曝光装置的光源，由原来的超高压水银灯换成了波长短的弗化氪受激准分子激光，结果在一厘米见方的芯片上，成功地制作出线宽为零点四微米的电路图形。