我国半导体材料又添新品种 掺氮NTD区熔硅单晶国际领先 [复制链接]

第3版(科教·文化·体育)
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我国半导体材料又添新品种
掺氮NTD区熔硅单晶国际领先
本报讯　据今天出版的《科学报》报道：中国科学院半导体研究所研制成功一种新型半导体材料。
在4月3日召开的院级鉴定会上，试用单位和专家学者们认为，这种掺氮NTD（中子嬗变掺杂）区熔硅单晶材料，机械强度高，电学性能好，大大提高了材料的利用率和器件的成品率。这一研究成果，居国际领先地位。
硅片在高温下的机械强度，一直是硅器件和集成电路工艺中的一个急待解决的重要问题。进入80年代以来，国际上开始进行掺氮硅单晶的研制，但未见有进行“中子嬗变掺杂”工艺的报道。半导体所于1982年开始在国内首次进行掺氮区熔硅单晶中子嬗变掺杂的研究，得到了高质量的n型区熔硅单晶，不但提高了硅单晶材料的机械强度，而且电阻率分布均匀，少数载流子寿命高，从而提高了材料的利用率和器件的电学参数，特别是器件耐压力、放大倍数的提高更为显著。该材料经北京椿树整流器厂、北京前门器件厂和北京可控硅元件厂进行器件生产，片子的崩边率由33％下降到12％，材料的优品率由23％提高到40％，器件的成品率提高了20％，具有明显的经济效益。此外，找到了制备无位错无游涡掺氮区熔硅单晶的生长条件，获得了硅中氮的红外谱数据和深能级数据及其它参数，在学术上具有重要的意义。