我国半导体硅材料新增一研究开发基地 浙大建成高纯硅及硅烷实验室 [复制链接]

第3版(科教·文化·体育)
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我国半导体硅材料新增一研究开发基地
浙大建成高纯硅及硅烷实验室
新华社杭州11月16日电 （通讯员吕岸）我国半导体硅材料研究开发基地之一——高纯硅及硅烷国家重点实验室在浙江大学建成，11月15日通过国家教委验收。
这个实验室的建筑面积有5000平方米，拥有一个半导体中试工厂和近百人规模的科技队伍。
验收专家委员会认为，这个实验室的建成，将对提高我国硅材料和硅器件的质量，以及培养高级研究人才等方面，发挥出十分重要的作用。
高纯硅和硅烷是电子工业的重要基础材料，在太阳能利用、新型光导材料、耐高温陶瓷、新型激光器和核辐射探测技术等领域均得到广泛应用。
这个实验室是1985年7月开始建设的。在建设中，科研人员坚持把教学、科研和生产结合起来，已经取得了8项重大研究成果，分别获得国家发明奖和国家教委及浙江省的科技进步奖，并已全部投产应用。
据有关方面透露，这个实验室每年生产的高阻探测器硅单晶和高纯硅烷气体，将会占全国供应量的80％以上。