清华大学微电子所传来喜讯 我微电子技术跨上１微米级台阶 [复制链接]

第1版(要闻)
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　　清华大学微电子所传来喜讯
我微电子技术跨上１微米级台阶
本报北京９月２９日讯 记者温红彦报道：“１微米级ＣＭＯＳ超大规模集成电路管芯工艺研制线的建立是成功的，全套工艺技术在研制１兆位汉字只读存储器过程中被证明是正确的。研制成功的１兆位汉字只读存储器，其性能达到同类产品的国际水平。”这是今天在清华大学召开的“七五”国家重点科技攻关项目鉴定会的一致意见。这项技术通过鉴定标志着我国微电子技术首次跨上了１微米和百万集成度的台阶。这是我国科技战线又一个长志气、增信心的大喜讯。
清华大学微电子所在国家重点支持下，通过全体科研人员的顽强攻关，终于建成国内第一条１—１．５微米ＣＭＯＳ超大规模集成电路工艺研制线，自主开发了１．５微米设计规范的成套工艺技术，成功地研制出１兆位汉字只读存储器（ＣＭＯＳ意思是互补型金属氧化物半导体；１微米等于１毫米的１‰；只读存储器是具有读出功能，不要求随时输入的存储器）。这项研究工程突破了下列关键技术：微细线条曝光、全正胶刻蚀工艺、高质量薄膜氧化浅结及金属化工艺等。
研制成功的１兆位汉字只读存储器芯片，是各类计算机的重要元件之一。它能在面积为６．４×６．５平方毫米芯片上，集成１０６万个晶体管，最小线宽只相当于１根头发丝的１／３０。利用两块芯片便可存储国家二级标准汉字库的７８３０个汉字及有关中外文符号。这对我国微型计算机汉字化的实现将起到巨大推进作用。
１—１．５微米ＣＭＯＳ工艺是当前国际上集成电路工业生产的主流技术。２微米级即属于外国对我封锁的范围。此项工艺技术的开发成功，缩短了我国集成电路工艺与世界先进水平的差距，对我国集成电路技术的自主发展具有重大的战略意义。