| 徐魁元 周向东 |
1982-02-28 00:00 |
南京半导体器件总厂推行新工艺 用镀镍取代蒸金技术攻关告捷 三极管寿命提高五至十倍，每年少消耗纯金四千克
第3版()
专栏：
南京半导体器件总厂推行新工艺
用镀镍取代蒸金技术攻关告捷
三极管寿命提高五至十倍，每年少消耗纯金四千克
本报讯 南京半导体器件总厂研制成功用镀镍取代蒸金同银浆烧结，蒸金同金锑烧结工艺，以生产硅小功率晶体管。这项技术成果，不仅使成品率提高了9％，寿命由400小时延长到2，000—4，000小时，而且按该厂这项产品的年产量计算，每年少消耗纯金4，000克，节约黄金费用54，000元。
硅小功率三极管是电子工业产品的重要元件。我国在生产这种三极管过程中，原来的两种工艺都要蒸金，难度高，产品质量不稳定，合格率一般只有75％。提高小功率晶体管的成品率和减少黄金的用量，是1981年全国攻关项目之一。
南京半导体器件总厂从1973年开始着手研制用镀镍取代蒸金工艺，经过几年努力，取得了成果。该厂生产的这种晶体管在1981年全国质量评比中获二等奖。徐魁元 周向东 |
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